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Power Integrations
2020/03/20

適用於 SiC MOSFET 的 Power Integrations SCALE-iDriver 符合 AEC-Q100 汽車認證

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小巧、耐用的隔離式 SiC MOSFET 驅動器整合了主動箝位功能和少於 2 µs 的短路關閉時間

Power Integrations (Nasdaq:POWI),這家為中高壓變頻器應用提供閘極驅動器技術的領導廠商,今日宣佈推出用於碳化矽 (SiC) MOSFET 的高效單通道閘極驅動器 SIC118xKQ SCALE-iDriver™,該產品現已通過 AEC-Q100 認證,可供汽車使用。這些裝置可設定為支援常用 SiC MOSFET 的閘極驅動電壓需求,並具有精密的安全和保護功能。

SIC1182KQ (1200 V) 和 SIC1181KQ (750 V) SCALE-iDriver 裝置經過最佳化,適用於在汽車應用中驅動 SiC MOSFET,具備軌對軌輸出、快速閘極切換速度、支援正負輸出電壓的單極供應電壓、整合式電源與電壓管理和增強型絕緣。重要的安全功能包括汲源極間電壓 (VDS) 監測、SENSE 讀數、一次側和二次側欠壓鎖閉 (UVLO)、限電流閘極驅動器和進階主動箝位 (AAC),該功能有助於在故障狀況下執行安全操作和軟關閉。AAC 與 VDS 監測相結合可確保在短路狀況下的安全關閉時間少於 2 µs。閘極驅動控制和 AAC 功能可以使閘極電阻最小化;這就減少了切換損失,從而最大限度地發揮變頻器效率。

將 SCALE-iDriver 控制和安全功能與其高速 FluxLink™ 通訊技術搭配使用後,相比使用光電隔離式、電容隔離式或矽隔離式磁耦合器,Power Integrations 掀起了一場閘極驅動器 IC 技術的革命。這種組合極大地提高了絕緣能力,並利用非常少的 300 kW 以下外部元件進行安全、低成本變頻器設計。

Power Integrations 汽車閘極驅動器產品資深行銷協理 Michael Hornkamp 表示:「碳化矽 MOSFET 技術為體積更小、更輕便的汽車變頻器系統打開了大門。切換速度和工作頻率在不斷增加;我們的低閘極電阻器值維持了切換效率,同時,快速短路回應功能能夠在發生故障時快速保護系統」。

「此外,SCALE-iDriver 在確保功能安全性的絕緣穩健性方面樹立了全新標準;即使功率裝置造成了災難性的驅動器故障,SCALE-iDriver 的絕緣能力仍然完好無損,可確保底座的任何零件均未承受威脅使用壽命的高壓」,Hornkamp 繼續說道。

全新的單通道 SIC118xKQ 閘極驅動器可提供高達 8 A 的電流,並適合標準閘極射極電壓為 +15 V 起且各種負電壓範圍為 -3 V 到 -15 V 的 SiC MOSFET。這些裝置展示出高外部磁場耐受性,採用的小巧 eSOP 封裝提供 ≥9.5 公釐的安規距離和間隔距離,使用的材料具有最高 CTI 等級 (依據 IEC 60112,CTI =600)。這些產品現已上市。Power Integrations 網站上提供技術資訊,網址為:http://www.power.com/products/scale-idriver-ic-family/sic118xkq/。  (新聞來源:Power Integrations 官網)
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