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2020/07/09

臻驅科技與羅姆攜手成立碳化矽技術聯合實驗室

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中國新能源車驅動領域高科技公司-臻驅科技(上海)有限公司(以下簡稱 臻驅科技)與半導體製造商ROHM(以下簡稱 羅姆)宣佈在中國(上海)自由貿易區試驗區臨港新區成立「碳化矽技術聯合實驗室」,並於2020年6月9日舉行了揭幕啟用儀式。

相較於IGBT*1等矽(Si)功率元件,碳化矽(SiC)功率元件具有較低傳導損耗與開關損耗*2、以及不易受溫度影響等優勢,因此能大幅降低損耗,並廣泛運用在電動車充電器以及DC/DC轉換器等相關應用。

自2017年雙方合作以來,臻驅科技和羅姆就針對SiC功率元件在車電應用的研發上展開深度的技術交流。此次聯合實驗室的成立,就是希望透過羅姆的SiC MOSFET*3裸晶片和絕緣閘驅動器等技術,更進一步推動車電功率模組和逆變器的研發。今後,雙方也將持續推出以SiC為主的創新電源解決方案。

臻驅科技董事長兼總經理 沈捷博士表示:「碳化矽功率半導體模組在新能源汽車上的應用,是今後業界的趨勢所在。藉由快速彙集全球資源、加速技術研發、並及早量產高度成熟的碳化矽產品,將能確保身為車電元件廠商的核心競爭力。臻驅科技自成立以來便得到羅姆的大力支援,希望能藉此聯合實驗室的成立,加深雙方合作關係,繼續攜手向前邁進。」

羅姆執行董事 功率元件事業本部長 伊野和英博士表示:「羅姆身為碳化矽元件的領導廠商,在提供先端元件技術和驅動IC等電源解決方案上一直保有傲人的成績,並針對xEV的相關應用持續推動SiC的普及。在SiC功率元件的技術研發方面,掌握客戶需求和市場動向是非常重要的關鍵。做為車電功率模組和逆變器開發商,臻驅科技在SiC應用研究方面發揮了重要的作用。羅姆希望藉由聯合實驗室的成立,加強雙方的合作關係,透過以SiC為主的電源解決方案更進一步推動汽車技術的革新。」 

<名詞解釋>
*1) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣閘雙極電晶體)
是一種兼具MOSFET的高速開關特性和雙極電晶體的低傳導損耗特性的功率電晶體。

*2) 傳導損耗、開關損耗
因元件結構的緣故,MOSFET和IGBT等電晶體在使用時會產生損耗。傳導損耗是電流流經元件時(ON狀態時),受元件的電阻影響而產生的損耗。開關損耗是切換元件的通電狀態時(開關動作時)所產生的損耗。

*3) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的簡稱)
正式名稱為「金屬-氧化物-半導體場效電晶體」,是FET中最常用的結構。常用來當作切換元件。(新聞來源:ROHM 官網)
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