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ROHM
2021/07/02

ROHM推出超低導通電阻新世代Dual MOSFET

適用於工控裝置和基地台馬達驅動應用
半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)開發出適用於FA等工控裝置和基地台(冷卻風扇)24V馬達驅動用內建二顆耐壓±40V和±60V的Dual MOSFET*1「QH8Mx5/SH8Mx5系列(Nch+Pch*2)」。

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近年來,為了支援工控裝置和基地台馬達所使用的24V輸入,驅動元件MOSFET需要考慮到電壓變動所需的餘裕度,所以要求要40V和60V的耐壓能力。此外,在提高馬達效率並縮減體積方面,對於MOSFET出現進一步降低導通電阻和高速切換的需求。
 

在此背景下,ROHM繼2020年年底發佈新一代Pch MOSFET*2之後,此次Nch再推出了採用新微細製程的第6代40V和60V耐壓MOSFET。因此,使ROHM在支援24V輸入的±40V和±60V耐壓等級擁有了領先業界的Nch+Pch Dual MOSFET產品。此外,為了滿足更廣泛的市場需求,ROHM還研發出+40V和+60V耐壓的「QH8Kxx / SH8Kxx系列(Nch+Nch)」,產品系列已達12款。
 

本系列產品採用ROHM全新製程,具備業界超低導通電阻,±40V耐壓產品的導通電阻比一般品降低61%(Dual MOSFET的Pch部分比較),有助進一步降低各裝置的功耗。此外,透過將二顆元件匯集到一個封裝中,可減少安裝面積進而達到裝置小型化,還有助減少元件選擇(Nch和Pch的組合)的時間。
 

本系列產品已於2021年3月開始暫以每月100萬個的規模投入量產(樣品價格 250日元/個,未稅),也已開始於電商平台銷售。

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<新產品特點>

1.具備業界超低導通電阻

ROHM本次研發的Dual MOSFET產品中,採用全新製程±40V耐壓產品,與一般品相比,Pch部分的導通電阻降低多達61%,Nch部分的導通電阻也降低達39%,有助降低應用裝置功耗。

 

2. 發揮Dual MOSFET專屬特性,有助裝置小型化並縮短設計週期

在一個封裝中內建二顆元件,有助裝置小型化和減少元件選擇時間。在小型化方面,如果將傳統的Nch+Pch Dual MOSFET(SOP8)替換成新產品(TSMT8),安裝面積可減少75%。

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<與預設驅動IC結合,提供更優異的馬達驅動解決方案>

將本產品與具有豐富實績的ROHM單相和三相無刷馬達預設驅動IC相結合,可以進一步達成馬達小型化、低功耗和靜音驅動。並且全面支援以Dual MOSFET系列和預設驅動IC所組成的周邊電路設計,提供滿足客戶需求的馬達驅動解決方案。

 

組合範例

■ QH8MC5(±60V耐壓Nch+Pch Dual MOSFET)和BD63001AMUV(三相無刷馬達預設驅動IC)

■ SH8KB6(+40V耐壓Nch+Nch Dual MOSFET)和BM62300MUV(三相無刷馬達預設驅動IC)

■ SH8KB6(+40V耐壓Nch+Nch Dual MOSFET)和BD63002AMUV(三相無刷馬達預設驅動IC)等

 

<產品系列>

Nch+Pch Dual MOSFET
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Nch+Nch Dual MOSFET
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<應用範例>

■ FA裝置、機器人等工控裝置和基地台風扇馬達

■ 大型消費電子裝置用風扇馬達

 

 

<名詞解釋>

*1) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的簡稱)

正式名稱為「金屬-氧化物-半導體場效電晶體」,是FET中最常用的結構。常用來當作切換元件。

 

*2) Pch MOSFET 和Nch MOSFET

Pch MOSFET:透過閘極外加相對於源極為負的電壓而導通的MOSFET。

可用比低於輸入電壓低的電壓驅動,因此電路結構較為簡單。

Nch MOSFET:透過閘極外加相對於源極為正的電壓而導通的MOSFET。

與Pch MOSFET相比,汲極~源極間的導通電阻更小,因此可減少常規損耗。

 

*3) 導通電阻

使MOSFET動作(ON)時汲極與源極之間的電阻值。該值越小,則動作時的損耗(功率損耗)越少

 

新聞來源: ROHM 官方網站

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