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STMicroelectronics
2019/05/06

意法半導體650V高頻IGBT利用最新高速開關技術提升應用性能

ST新聞稿4月30日——意法半導體650V高頻IGBT利用最新高速開關技術提升應用性能
意法半導體的HB2 650V IGBT系列採用最新的第三代溝柵場截止(TFS)技術,可提高PFC轉換器、電焊機、不斷電供應系統(UPS)、太陽能逆變器等中高速應用設計的功效和性能。該系列還包括符合AEC-Q101 Rev. D標準的汽車級產品。

新HB2系列屬於STPOWER™產品家族,更低(1.55V)的 VCEsat 飽和電壓確保導通性能極其出色;更低的柵極電荷使其能夠在低柵極電流條件下快速開關,提高動態開關性能;出色的熱性能有助於最大限度地提高可靠性和功率密度,同時新系列還是市場上極具競爭力的產品。

HB2系列IGBT提供三個內部二極體選項:全額定二極體、半額定二極體或防止意外反向偏置的保護二極體,從而為開發者提供更多的自由設計權,根據特定應用需求優化動態性能。

新650元件的首款產品40A STGWA40HP65FB2現已上市,採用TO-247長接腳封裝。

詳情訪問 http://www.st.com/igbt-hb2-series
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