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Avalanche Technology
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CA, USA
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Since 2004
PROFILE
Avalanche Technology總部位於加利福尼亞州弗里蒙特，利用300mm標準CMOS工藝製造的垂直磁隧道結（pMTJ）單元結構，是自旋傳遞扭矩磁性RAM（STT-MRAM）非易失性存儲器的全球領導者。在MRAM的支持下，在單元，電路和系統設計方面獲得了300多項專利授權，我們的技術和產品提供了突破性的速度，無限的耐用性和非易失性，同時降低了功耗和成本。憑藉這些特性，我們的技術將替代分離式SRAM，非易失性SRAM，NOR和DRAM，並超越客戶的目標，成為嵌入式應用中SRAM，eFlash和ROM的替代產品。
*Avalanche Technology Authorized Distributor
