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Avalanche Technology
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CA, USA
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Since 2004
PROFILE
Avalanche Technology總部位於加利福尼亞州弗里蒙特,利用300mm標準CMOS工藝製造的垂直磁隧道結(pMTJ)單元結構,是自旋傳遞扭矩磁性RAM(STT-MRAM)非易失性存儲器的全球領導者。在MRAM的支持下,在單元,電路和系統設計方面獲得了300多項專利授權,我們的技術和產品提供了突破性的速度,無限的耐用性和非易失性,同時降低了功耗和成本。憑藉這些特性,我們的技術將替代分離式SRAM,非易失性SRAM,NOR和DRAM,並超越客戶的目標,成為嵌入式應用中SRAM,eFlash和ROM的替代產品。
*Avalanche Technology Authorized Distributor