Renesas
2020/07/06

瑞薩電子推出高可靠高性能100V半橋MOSFET驅動器

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強健的HIP221x驅動器具備高速和高壓特性,延續瑞薩MOSFET驅動器在工業和消費應用領域的25年輝煌

全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子集團(TSE:6723)今日宣佈推出兩款全新100V半橋MOSFET驅動器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞薩電子備受歡迎的ISL2111橋驅動器的新一代接腳相容升級產品;新款HIP2210提供三電平PWM輸入,以簡化電源和電機驅動器設計。HIP2211和HIP2210非常適用於48V通訊電源、D類音訊放大器、太陽能逆變器和UPS逆變器。該產品堅固耐用,可為鋰離子電池供電的家用和戶外產品、水泵及冷卻風扇中的48V電機驅動器供電。

HIP221x驅動器專為嚴苛工作條件下的可靠運行而設計,其高速、高壓HS接腳可承受高達-10V的持續電壓,並以50V/ns速度轉換。全面的欠壓保護與HIP2210的可程式設計防擊穿保護協同工作,以確保其驅動的MOSFET不會因電源或其它外部故障而損壞。瑞薩HIP221x驅動器具有強大的3A驅動拉電流和4A驅動灌電流,以及極快的15ns典型傳播延遲和2ns典型延遲匹配,是高頻開關應用的最佳解決方案。HIP2210和HIP2211兩款產品均旨在搭配瑞薩先進的DC/DC及無刷電機驅動系統中的微控制器而設計。

瑞薩電子工業與通信事業部副總裁Philip Chesley表示:「創新的HIP221x延續了我們在Harris智慧電源(HIP)半橋驅動器研發領域25年行業領先的輝煌歷史。強大且穩健的抗噪性、超低傳輸延遲及高系統效率是我們的客戶對整個HIP半橋MOSFET驅動器系列所依賴的關鍵特性。」

HIP2211和HIP2210的關鍵特性
  • 15VDC自舉電源最大電壓(最大絕對值為120V HS)可支援100V半橋架構
  • 寬VDD電壓,工作範圍為6V至18V(最大絕對值為20V)
  • HS接腳可承受高達-10V的電壓和50V/ns電壓轉換速率
  • 整合0.5Ω典型自舉二極體,無需使用外部分立二極體
  • VDD和引導UVLO防止低柵極電壓驅動NFET
  • 透過RDT接腳(僅適用於HIP2210)的可調死區時間延遲可防止擊穿,單電阻可調範圍為35ns至350ns

供貨資訊
HIP2211和HIP2210現可從瑞薩電子全球分銷商處購買。HIP2211採用8接腳SOIC和10接腳4mm x 4mm TDFN封裝。了解有關產品及評估板的更多資訊,請訪問 www.renesas.com/products/hip2211.

HIP2210採用10接腳4mm x 4mm TDFN封裝。了解有關產品及評估板的更多資訊,請訪問 www.renesas.com/products/hip2210.    (新聞來源:Renesas 官網)
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