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SiC MOSFET原理上在開關過程中不會產生拖尾電流，可高速運行且開關損耗低。低導通電阻和小型晶片尺寸造就較低的電容和閘極電荷。此外，SiC還具有如導通電阻增加量很小的優異的材料屬性，並且有比導通電阻可能隨著溫度的升高而上升2倍以上的矽（Si）器件更優異的封裝微型化和節能的優點。
第4代 SiC MOSFET
新推出的第4代SiC MOSFET，在改進短路耐受時間的前提下，實現了業界超低導通電阻。另外，還具有低開關損耗和支援15V閘-源電壓等特性，有助設備進一步實現節能化。
*ROHM Authorized Distributor
第4代 SiC MOSFET
新推出的第4代SiC MOSFET，在改進短路耐受時間的前提下，實現了業界超低導通電阻。另外，還具有低開關損耗和支援15V閘-源電壓等特性，有助設備進一步實現節能化。
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