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STMicroelectronics
MASTERGAN1 - High power density GaN
MASTERGAN1
High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
描述
MASTERGAN1是一款先進的系統級功率封裝，在半橋配置中整合了柵極驅動器和兩個增強模式GaN晶體管。整合功率GaN具有150 mΩ的RDS（ON）和650 V漏源擊穿電壓，而嵌入式柵極驅動器的高側可由整合式自舉二極管輕鬆提供。
MASTERGAN1在上下驅動部分均具有UVLO保護，可防止電源開關在低效率或危險條件下運行，並且互鎖功能可避免交叉傳導情況。
輸入接腳的擴展範圍可與微控制器、DSP單元或霍爾效應傳感器輕鬆連接。
MASTERGAN1的工作溫度範圍為-40°C至125°C。
該元件採用緊湊型9x9 mm QFN封裝。
功能
- 整合半橋柵極驅動器和高壓GaN的系統級功率封裝
- RDS(ON) = 150 mΩ
- IDS(MAX) = 10 A
- IDS(MAX) = 10 A
- 反向電流能力
- 零反向恢復損耗
- 低邊和高邊UVLO保護
- 內置自舉二極管
- 互鎖功能
- 關閉功能專用接腳
- 準確的內部定時匹配
- 具有滯回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容輸入
- 過熱保護
- 減少物料單
- 非常緊湊且簡便的佈局
- 靈活快捷的設計
*STMicroelectronics Authorized Distributor
